收藏本站

IDT71V547, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with
ZBT ? Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Device Operation - Showing Mixed Load, Burst,
Deselect and NOOP Cycles (2)
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
n+8
n+9
n+10
n+11
n+12
n+13
n+14
n+15
n+16
n+17
n+18
n+19
Address
A0
X
A1
X
X
A2
X
X
A3
X
A4
X
X
A5
A6
A7
X
A8
X
A9
R/ W
H
X
H
X
X
H
X
X
L
X
L
X
X
L
H
L
X
H
X
L
ADV/ LD
L
H
L
L
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
L
CE (1)
L
X
L
H
X
L
X
H
L
X
L
H
X
L
L
L
X
L
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
X
X
L
X
L
L
X
X
L
OE
X
L
L
L
X
X
L
L
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
L
L
I/O
D1
Q0
Q 0+1
Q1
Z
Z
Q2
Q 2+1
Z
D3
D 3+1
D4
Z
Z
D5
Q6
D7
D 7+1
Q8
Q 8+1
Comments
Load read
Burst read
Load read
Deselect or STOP
NOOP
Load read
Burst read
Deselect or STOP
Load write
Burst write
Load write
Deselect or STOP
NOOP
Load write
Load read
Load write
Burst write
Load read
Burst read
Load write
NOTE:
1. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
2. H = High; L = Low; X = Don't Care; Z = High Impedence.
7
6.42
3822 tbl 11
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IDT71V632S7PFGI IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP
IDT71V65703S85BGGI IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
IDT71V65803S150BGI IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA
IDT71V67602S166BGG IC SRAM 9MBIT 166MHZ 119BGA
IDT71V67603S166PFGI IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP
IDT71V67703S85BGGI IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
IFMD18105 CABINET STEEL 19.6X39.4X77.3 BEI
IFMD18106 CABINET STEEL 23.6X39.4X77.3 BEI
相关代理商/技术参数
IDT71V547S80PFGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
IDT71V547S90PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547XS100PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员